SK Hynix、世界最高層238層4D NANDの開発に成功岐阜新聞Web

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SK世界一高いビル、ハイニックス 238層 4Dナンド成功した開発

・世界初の238レイヤーの512イギリス(ギガビット)FTA(トライレベルセル)
7月に開発完了、来年上半期に量産開始
・最上層・最小面積の製品と生産性の実現/速度/エネルギー消費の革新的な改善

2022年8月3日 PR Newswire – SK Hynix (www.skhynix.com ) は本日、現存する最高層である 238 層の NAND の開発に成功したことを発表しました。

SK ハイニックスは最近、238 層、512Gb (ギガビット) 4D NAND TLC (Tri-Level Cell)* フラッシュ メモリのサンプル出荷を開始し、来年上半期に量産に入る予定です。 2020年12月に176層NANDを開発して以来、1年7ヶ月ぶりに次世代技術の開発に成功しました。特に、この238層NANDは世界最高層であり、世界最小サイズは非常に重要です。

*NANDフラッシュメモリは、セルに格納される情報量に応じて、SLC (Single Level Cell, 1) – MLC (Multi Level Cell, 2) – TLC (Triple Level Cell, 3) になります。 個) ・QLC(クアッドレベルセル 4個) ・PLC(ペンタレベルセル 5個)など保存する情報が多ければ多いほど、同じ領域に保存できるデータも多くなります。

SK hynixは同日、米国サンタクララで開催されたFlash Memory Summit (FMS) 2022*で新しい238層NAND製品を紹介した。 FMS イベントでの基調講演で、SK Hynix のチェ・ジョンダル副社長 (NAND 開発担当) は、次のように述べています。コスト、パフォーマンス、品質の面で。」 一流の競争力を確保しています。 私たちは革新を続け、技術の限界を押し広げる挑戦を続けます。」

*Flash Memory Summit (FMS): 米国カリフォルニア州サンタクララで毎年開催されるNAND型フラッシュメモリ業界の世界最大のカンファレンスで、SK hynixは今年のFMS基調講演でNANDソリューションの子会社であるSolidigmと共同発表した。

2018年に開発した96層NANDを皮切りに、SK hynixは従来の3Dを超える4D製品を投入した。 当社の技術チームは、CTF (Charge Trap Flash)* および PUC (Peri Under Cell)* 技術を適用して、チップが 4D 構造で実装されている 4D を作成しました。 3Dと比較して、4Dはユニットあたりのセル面積を削減しながら、生産効率が高いという利点があります。

※CTF(チャージトラップフラッシュ)
非導電体(2)に電荷を蓄えることでセル間の干渉の問題を解決する技術であり、導電体に電荷を蓄える(1)フローティングゲートとは異なり、読み出しを向上させることができるのが特徴です。それを減らしながら書くのとパフォーマンス。

* PUC (ペリローセルラー)
セル回路下部に周辺回路を配置することで生産効率を最大化する技術

この 238 層 NAND は層数が多いだけでなく、世界最小であり、前世代の 176 層 NAND よりも生産性が 34% 向上しています。 これは、単位面積あたりの静電容量が大きいチップが、以前よりもウェーハあたりで大量に生産されているためです。

また、238層NANDのデータ転送速度は毎秒2.4Gb(ギガビット)で、前世代より50%高速です。 また、このチップはデータの読み取りに使用する電力が 21% 少ないと考えています。これは、省エネによる ESG の観点からも成功していると考えています。

SKハイニックスは、まずPCストレージデバイスであるcSSD(クライアントSSD)に搭載される238層NAND製品を供給し、その後、製品の活用範囲をスマートフォンやサーバー向けの大容量SSDに拡大する計画だ。 現在の512Gb(ギガビット)の容量を2倍にした1Tb(テラビット)製品を投入。


画像添付リンク:

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(画像法則:SK Hynix、世界最高層の238層4D NANDの開発に成功)

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(画像法則:SK Hynix、世界最高層の238層4D NANDの開発に成功)

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(画像説明:CTF(Charge Trap Flash))

リンク: http://asianetnews.net/view-attachment?attach-id=426820
(画像キャプション: PUC (セルの下のペリ))

出典:SKハイニックス

(日本語版:お客様提供)

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